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氮化鋁陶瓷電路板的優(yōu)越性能有哪些?

氮化鋁陶瓷基電路板


在很多制冷設(shè)備,傳感器,led燈采用氧化鋁陶瓷電路板實現(xiàn)啊較好的散熱性能和電器性能,在行業(yè)內(nèi)備受關(guān)注。氮化鋁陶瓷電路板性能更勝一籌,在大功率模組、高頻陶瓷、以及IGBT等多用氮化鋁陶瓷基板。下面將一些氮化鋁陶瓷電路板的優(yōu)越性。

LED氮化鋁陶瓷基板.jpg 

氮化鋁陶瓷基電路板是良好的耐熱沖擊材料

氮化鋁陶瓷最高可穩(wěn)定到2200℃。室溫強度高,且強度隨溫度的升高下降較慢。導熱性好,熱膨脹系數(shù)小,是良好的耐熱沖擊材料??谷廴诮饘偾治g的能力強,是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。氮化鋁還是電絕緣體,介電性能良好,用作電器元件也很有希望。砷化鎵表面的氮化鋁涂層,能保護它在退火時免受離子的注入。氮化鋁陶瓷電路板還是由六方氮化硼轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎降鸬拇呋瘎?。室溫下與水緩慢反應.可由鋁粉在氨或氮氣氛中800~1000℃合成,產(chǎn)物為白色到灰藍色粉末?;蛴葾l2O3-C-N2體系在1600~1750℃反應合成,產(chǎn)物為灰白色粉末。或氯化鋁與氨經(jīng)氣相反應制得.涂層可由AlCl3-NH3體系通過氣相沉積法合成。往往我們所熟知的就是AlN+3H2O==催化劑===Al(OH)3↓+NH3↑。

 IGBT陶瓷基板.JPG

AIN氮化鋁陶瓷電路板的優(yōu)越性如下:

( 1)熱導率高(約320W/m·K),接近BeO和SiC,是Al2O3的5倍以上;

(2)熱膨脹系數(shù)(4.5×10-6℃)與Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配;

(3)各種電性能(介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、體電阻率、介電強度)優(yōu)良;

(4)機械性能好,抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷,可以常壓燒結(jié);

(5)純度高;

(6)光傳輸特性好;

(7)無毒;

(8)可采用流延工藝制作。是一種很有前途的高功率集成電路基片和包裝材料。

氮化鋁陶瓷電路板優(yōu)越性能還是很出眾的,滿足了更多高集成電路的需求。更多氮化鋁陶瓷電路板的問題可以咨詢金瑞欣特種電路。


深圳市金瑞欣特種電路技術(shù)有限公司

金瑞欣——專業(yè)的陶瓷電路板制造商

通過公司研發(fā)團隊的不懈努力,現(xiàn)已成功研發(fā)微小孔板、高精密板、難度板、微型化板、圍壩板等,具備DPC、DBC、HTCC、LTCC等多種陶瓷生產(chǎn)技術(shù),以便為更多需求的客戶服務(wù),開拓列廣泛的市場。

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